SIHB25N50E-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SIHB25N50E-GE3 |
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Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.64 |
10+ | $3.269 |
100+ | $2.6781 |
500+ | $2.2798 |
1000+ | $1.9228 |
2000+ | $1.8266 |
5000+ | $1.758 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 250W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1980 pF @ 100 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 26A (Tc) |
Grundproduktnummer | SIHB25 |
SIHB25N50E-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SIHB25N50E-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
VISHAY TO-263
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
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MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
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N-CHANNEL 650V
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SIHB25N50E-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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